Новый завод микрочипов STMicroelectronics на Сицилии
Европейский союз одобрил выделение правительством Италии 2 миллиардов евро в качестве помощи компании STMicroelectronics на строительство завода микрочипов стоимостью 5 миллиардов евро в Катании, на острове Сицилия. Эти инвестиции являются частью стратегии ЕС по снижению зависимости от импорта из Азии и укреплению своей цепочки поставок полупроводников.
Стратегический шаг ЕС для обеспечения цепочки поставок. Европейская комиссия дала зеленый свет пакету помощи итальянского правительства в размере 2 миллиардов евро компании STMicroelectronics на строительство нового, ультрасовременного завода микрочипов в Катании. Инвестиции в размере 5 миллиардов евро направлены на поддержку полупроводниковой промышленности, способствуя повышению независимости ЕС от импорта из Азии.
Сицилийское предприятие будет специализироваться на производстве энергоэффективных карбид-кремниевых (SiC) чипов, которые пользуются высоким спросом среди производителей электромобилей. Производство планируется начать в 2026 году и выйти на полную мощность к 2033 году, производя 15 000 пластин в неделю.
Закон ЕС о чипах, введенный для стимулирования производителей чипов к выпуску компонентов, жизненно важных для высокотехнологичных отраслей, направлен на мобилизацию более 43 миллиардов евро для увеличения доли блока в мировом производстве полупроводников с 10% до 20% к 2030 году. Эта мера является ответом на зависимость Европы от импорта из Азии, которая недавно была подчеркнута сбоями в цепочках поставок, связанных с пандемией, ростом торговой напряженности с Китаем и опасениями по поводу торговых путей через Красное море. Глава антимонопольного ведомства ЕС Маргрете Вестагер подчеркнула приверженность ЕС обеспечению стабильных поставок этих жизненно важных материалов во время пресс-конференции в Катании.
Карбид-кремниевые (SiC) чипы изготавливаются из специального полупроводникового материала – карбида кремния. Карбид кремния – это широкозонный полупроводниковый материал, предлагающий ряд преимуществ по сравнению с традиционными полупроводниками на основе кремния, особенно в приложениях с высоким напряжением и высокой температурой.
Преимущества:
Высокая теплопроводность: Карбид кремния является отличным проводником тепла, что позволяет чипам более эффективно отводить тепло, тем самым повышая производительность и надежность устройств.
Высокая напряженность электрического поля: Карбид кремния обеспечивает более высокую напряженность электрического поля, что позволяет чипам работать при более высоких напряжениях и лучше переносить электрические нагрузки.
Высокая скорость переключения: SiC-чипы имеют более высокие скорости переключения, что повышает энергоэффективность и снижает потери на переключение.
Повышенная надежность: Чипы на основе SiC обеспечивают более длительный срок службы и повышенную надежность, особенно в экстремальных условиях.
Области применения:
- Электромобили: В электромобилях SiC-чипы могут повысить эффективность преобразования энергии, снизить вес и увеличить запас хода.
- Возобновляемые источники энергии: В системах солнечной и ветровой энергии SiC-чипы могут способствовать более эффективному преобразованию энергии и снижению потерь энергии.
- Промышленные применения: В системах управления промышленными двигателями и управления энергопотреблением SiC-чипы могут повысить эффективность и надежность системы.
Карбид-кремниевые чипы более энергоэффективны и долговечны, чем традиционные чипы на основе кремния. Они особенно популярны в электромобилях. Являясь крупнейшим производителем карбид-кремниевых чипов, STMicroelectronics обслуживает таких клиентов, как Tesla, BYD, BMW и Renault. Несмотря на нестабильность спроса на электромобили, компания уверена в растущей важности карбид-кремниевых чипов.