STMicroelectronics' neues Mikrochip-Werk in Sizilien
Die Europäische Union hat 2 Milliarden Euro an italienischer Staatshilfe für STMicroelectronics genehmigt, um ein 5 Milliarden Euro teures Mikrochip-Werk in Catania auf der Insel Sizilien zu bauen. Diese Investition ist Teil der EU-Strategie, die Abhängigkeit von asiatischen Importen zu verringern und die Halbleiter-Lieferkette zu stärken.
Ein strategischer Schritt der EU zur Sicherung der Lieferkette Die Europäische Kommission hat grünes Licht für das italienische Staatshilfepaket in Höhe von 2 Milliarden Euro für STMicroelectronics zum Bau eines neuen, hochmodernen Mikrochip-Werks in Catania gegeben. Die Investition in Höhe von 5 Milliarden Euro zielt darauf ab, die Halbleiterindustrie zu stärken und zur Erhöhung der Unabhängigkeit der EU von asiatischen Importen beizutragen.
Die sizilianische Anlage wird sich auf die Herstellung energieeffizienter Siliziumkarbid-Chips (SiC) konzentrieren, die bei Herstellern von Elektrofahrzeugen stark nachgefragt sind. Die Produktion soll 2026 aufgenommen und bis 2033 die volle Kapazität von 15.000 Wafern pro Woche erreicht werden.
Der EU Chips Act, der eingeführt wurde, um Chiphersteller zu incentivieren, Komponenten zu produzieren, die für Hightech-Industrien unerlässlich sind, zielt darauf ab, über 43 Milliarden Euro zu mobilisieren, um den Anteil des Blocks an der globalen Halbleiterproduktion von 10 % auf 20 % bis 2030 zu erhöhen. Diese Maßnahme ist eine Reaktion auf Europas Abhängigkeit von asiatischen Importen, die kürzlich durch pandemiebedingte Unterbrechungen der Lieferketten, wachsende Handelsspannungen mit China und Bedenken hinsichtlich der Handelsrouten im Roten Meer deutlich wurde. EU-Wettbewerbskommissarin Margrethe Vestager betonte auf einer Pressekonferenz in Catania das Engagement der EU, eine stabile Versorgung mit diesen wichtigen Materialien sicherzustellen.
Siliziumkarbid-basierte (SiC) Chips werden aus einem speziellen Halbleitermaterial, Siliziumkarbid, hergestellt. Siliziumkarbid ist ein Wide-Bandgap-Halbleitermaterial, das gegenüber herkömmlichen Silizium-basierten Halbleitern mehrere Vorteile bietet, insbesondere in Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen.
Vorteile:
Hohe Wärmeleitfähigkeit: Siliziumkarbid ist ein ausgezeichneter Wärmeleiter, der es Chips ermöglicht, Wärme effektiver abzuleiten und dadurch die Geräteleistung und Zuverlässigkeit zu verbessern.
Hohe elektrische Feldstärke: Siliziumkarbid bietet eine höhere elektrische Feldstärke, wodurch Chips mit höheren Spannungen betrieben werden können und elektrische Belastungen besser tolerieren.
Hohe Schaltgeschwindigkeit: SiC-Chips haben höhere Schaltgeschwindigkeiten, was die Energieeffizienz verbessert und Schaltverluste reduziert.
Höhere Zuverlässigkeit: SiC-basierte Chips bieten eine längere Lebensdauer und höhere Zuverlässigkeit, insbesondere unter extremen Bedingungen.
Anwendungsbereiche:
- Elektrofahrzeuge: In Elektrofahrzeugen können SiC-Chips die Effizienz der Leistungswandlung verbessern, das Gewicht reduzieren und die Reichweite erhöhen.
- Erneuerbare Energiequellen: In Solar- und Windenergiesystemen können SiC-Chips zu einer effizienteren Energieumwandlung beitragen und Energieverluste reduzieren.
- Industrielle Anwendungen: In industriellen Motorsteuerungs- und Energiemanagementsystemen können SiC-Chips die Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erhöhen.
Siliziumkarbid-Chips sind energieeffizienter und langlebiger als herkömmliche Silizium-basierte Chips. Sie sind besonders beliebt in Elektrofahrzeugen. Als größter Hersteller von Siliziumkarbid-Chips bedient STMicroelectronics Kunden wie Tesla, BYD, BMW und Renault. Trotz Schwankungen in der Nachfrage nach Elektroautos ist das Unternehmen von der wachsenden Bedeutung von Siliziumkarbid-Chips überzeugt.